半导体设备保护用熔断体-N0.8动作特性试验测试

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1 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:20128.5 分断能力验证

2 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:20128.3 温升和耗散功率

3 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:20128.4.3.1a） 约定不熔断电流

4 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:20128.4.3.1b） 约定熔断电流

5 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:20128.4.3.4 过载能力验证

6 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:20128.4.3.2 额定电流验证

7 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 6 标志

8 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.1.4 尺寸

9 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.1.5.1 电阻

10 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-20168.2.1 熔断器支持件的布置

11 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-20168.2.2 绝缘性能验证

12 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-20168.2.3 隔离适用性验证

13 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 8.3 温升与耗散功率

14 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-20168.4.3.1 约定不熔断电流与约定熔断电流验证

15 低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-20168.4.3.2 熔断体的额定电流验证