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1 半导体分立器件试验方法MIL-STD-750F:2012 4021 反向击穿电压
2 半导体分立器件试验方法MIL-STD-750F:2012 4016 反向漏电流
3 半导体分立器件试验方法MIL-STD-750F:2012 4011 正向压降
4 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管GB/T4023-2015 7.1.4 反向电流
5 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管GB/T4023-2015 7.1.2 正向电压
6 半导体分立器件试验方法 GJB128A-19971051 温度循环
7 半导体分立器件试验方法 GJB128A-19971038 稳态工作功率
8 半导体分立器件试验方法 GJB128A-19971038 高温反偏
9 半导体分立器件试验方法 GJB128A-19971031 高温寿命
10 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管GB/T4023-2015 /第Ⅳ章1.3 击穿电压
11 半导体器件 分立器件第3部:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995 第Ⅳ章 击穿电压
12 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管GB/T4023-2015 /第Ⅳ章1.4 反向电流
13 半导体器件 分立器件第3部:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995 第Ⅳ章 反向电流
14 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管GB/T4023-2015 /第Ⅳ章 工作电压
15 半导体器件 分立器件第3部:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995 第Ⅳ章 工作电压