回收IG模块、从结构上讲，IG主要有三个发展方向：1、IG纵向结构：非集电区NPT型、带缓冲层的PT型、集电区NPT型和FS电场截止型；2、IG栅极结构：面栅机构、Trench沟槽型结构；3、硅片加工工艺：外延生长、?。
在IG使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IG导通/关断/阻断状态的控制：1、当IG栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IG呈关断状态；2、当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处。
回收IG模块、IG模块造工艺流程：1、IG模块封装是将多个IG集成封装在一起，以IG模块的使用寿命和可靠性，而IG模块的市场需求趋势则是体积更小、效率更高、可靠性更高，实现这些就有待于IG模块封装的研发。
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