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回收手机配件:
MTK套片/高通芯片/展讯套片/英飞凌套片/液晶屏/触摸屏/手机主板/手机字库/排线/外壳/摄像头/连接器/背光源/电池/充电器/耳机...
回收电子元器件:
贴片发光灯/二极管/三极管/BGA/钽电容/电阻/电感/光头/电容/贴片丝/继电器/霍尔元件/连接器/晶振/滤波器/变压器/喇叭/开关电源...
回收电脑配件:
CPU/南北桥/内存条/硬盘/主板/网卡芯片/显卡芯片/声卡芯片/电源 ..
服务器/交换机/光纤模块...
回收电子成品:
收贴片三极管回收通信IC 回收MTFC2GMDEA-0M内存器芯片
回收K4X2G30D-AGC6内存器芯片
回收MX29F400CI-70G内存芯片,
回收AM29DL800-70ED内存芯片,
回收H9TP32A8JDMC内存器芯片
回收CY7C1019CV33-12ZC内存芯片,
回收KE0E000E-PGC2内存器芯片
回收MSM8909内存器芯片
回收S29GL128N11TFIR2内存芯片,
回收TYC0FH121626RA内存器芯片
回收S29GL512P90TFI010 内存芯片 NOR FLASH
回收K4H510838F-HCB3内存芯片,
回收APQ80641AA内存器芯片
回收MT47H64M16NF-25E IT:M MICRON内存芯片 闪存芯片DDR2 1G
回收K4X2G32D-8GD8000内存器芯片
回收ADMTV102ACPZRL内存器芯片
回收AM29LV800BB-120EF内存芯片,先另收购库存
回收SST39VF512-70-3C-NH内存芯片,并库存
回收AT49LV1024-90VI内存芯片,
回收HYD0SFG0MF1P-5S60E内存器芯片
回收K6R1008C1C-TI15内存闪存芯片.
回收MX29LV640ETTI-70G内存芯片,
回收一系列内存芯片SDRAM NAND FLASH AM29F032B-120EC
回收ICX663AKA内存器芯片
回收SR1019S内存器芯片
回收M8500BZK内存器芯片
回收PM8626内存器芯片
回收S29JL032H70TAI31内存芯片,并库存
回收KMK8X000VM-B412001内存器芯片
回收H9CKNNNBPTATDR-NTHR内存器芯片
回收K511H13ACM-A075内存器芯片
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回收KMRC10014M-B809T07内存器芯片
回收NT5CB256M16BP-DI内存器芯片
回收AM29F040-90FI内存芯片,
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回收MSP430G2333IPW28内存芯片,
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回收MT29F2G08AADWP-ET MICRON 内存芯片 2G FLASH
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可以用8508A电阻功能直接校准,满足测量不确定度的要求。表2列出了5502A的各电阻校准调整点的在校准110kW,1.1MW,11MW,110MW四个校准点时,需要设置8508A的测量电流为LoI低电流模式,才能适合5502A电阻的工作电流范围。在低电流模式时,8508A的测量不确定度会稍微增加,校准不确定度比率仍然都大于4满足测量不确定度的要求。一般测量100kΩ以下的小电阻时,应该尽量使用四线电阻的测量方法进行校准。
C722电压保持在7.5V。3当Y输出高电平时,C722又被充电到10V。当Y变为低电平是C722(10V)对C715(7.5V)充电。C715=8.75V。当Y输出高电平时,此时C715两端的电位为:左边:5V,右边:13.75V(5V+8.75V),C715对C719充电,C719电压变为11.875V,C715由于对C719充电,电压变为11.875V。此时+15V_ALWP电压是11.875V。
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