Gentle Mill 离子精修仪

2024-08-12 17:26 101.93.223.67 1次
发布企业
复纳科学仪器(上海)有限公司商铺
认证
资质核验:
已通过营业执照认证
入驻顺企:
9
主体名称:
复纳科学仪器(上海)有限公司
组织机构代码:
310115001957202
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关键词
离子精修仪,FIB非晶层修复,TEM样品修复
所在地
上海市闵行区虹桥镇申滨路88号上海虹桥丽宝广场T5,705室
联系电话
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手机
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产品详细介绍

Gentle Mill离子精修仪--用于制备高质量 TEM/FIB 样品的离子束工作站


Technoorg Gentle Mill离子精修仪产品专为Zui终抛光、精修和改善 FIB 处理后的样品而设计。 Gentle Mill型号非常适合要求样品无加工痕迹、表面几乎没有任何损坏的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用户。 Gentle Mill还适用于快速减薄凹坑或超薄平面 (< 25 μm) 以及机械抛光样品。

 

离子精修仪.jpg


产品特色:

· 快速、可靠地精修和处理 TEM 和FIB 样品

·带有预编程的设置,可进行自动化操作

· 可应用于工业环境中

· 直接匹配日立 FIB-STEM/TEM系统 3D 样品台


性能参数


低能离子枪(固定型)

· 离子能量:100 - 2000eV,连续可调

· 离子电流密度:Zui大 10mA/cm2

· 离子束流:7 - 80μA,连续可调

· 离子束直径:750 - 1200 μm(FWHM)

· 电控优化的工作气流

· 在 2000 eV 离子能量和 30°入射角下,c-Si 的研磨速

率为 28 μm/h


样品台

· 切削角度:0° - 40°,每 0.1°连续可调

·可进行计算机控制的平面内样品旋转和摆动(从 ±10° 到

±120°,每 10° 连续可调)

· 可适用的 TEM 样品的厚度范围 (30-200 μm)


样品处理

· 用于快速样品交换的真空锁系统

· 全机械、无胶装载

· 专为 XTEM样品设计的钛夹和封装技术


真空系统

· Pfeiffer真空系统配备无油隔膜和涡轮分子泵,配备紧凑

的全范围 Pirani/Penning真空计


供气系统

· 99.999%纯氩气,juedui压力为 1.3 - 1.7 bar

·带有电子出口压力监测功能的惰性气体专用压力调节器

·工作气体流量高精准控制


成像系统

· 用于全视觉控制和切削监控/终止的CMOS 相机图像

· 高分辨率彩色 CMOS 相机

· 50 - 400倍放大范围的手动变焦视频镜头


电脑控制

· 内置工业级计算机

· 简单便捷的图形界面和图像分析模块

·通过鼠标点击或拖动轻松控制所有重要参数

·高度自动化的操作机制,Zui大限度地减少人工干预

·支持预编程或手动调节切削和抛光次数

·自动终止:图像分析模块支持的切削过程的光学终止

( 通过检测薄区穿孔或监测表面形貌)


电源要求

· 100 - 120 V/3.0 A/60Hz 或 220 - 240 V/1.5 A/50 Hz &#x2012; 单相


应用案例


01. Gentle Mill 对在各种 FIB 制备的样品进行低能量 Ar+氩离子研磨显着降低了受损的非晶表面层的厚度。可以实现对 65 nm 节点半导体器件进行原子级结构分析。

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02. Si 中的晶面[110]。 使用 Gentle Mill 在 200 eV离子能量和 3°入射角下通过 Ar+ 氩离子研磨对样品进行减薄。图片由劳伦斯伯克利实验室国家电子显微镜中心提供。

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03. GaSb/InAs 超晶格。 使用Gentle Mill 制备样品:在 2000 eV 下减薄直至穿孔,在 1000 eV 下修整,Zui后在 300 eV 下精修。图片由 Technion(以色列)提供。

超晶格效果.png


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所属分类:中国仪表网 / 其他分析仪器
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成立日期2012年04月19日
法定代表人樊丽丽
注册资本200
主营产品飞纳台式扫描电镜
经营范围仪器仪表、实验室设备、电子产品及相关零配件的销售,从事仪器仪表技术领域内的技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务,从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
公司简介飞纳电镜——复纳科学仪器(上海)有限公司,2012年创立于上海,为高校、企业和研究所提供台式扫描电子显微镜,产品包含:台式场发射扫描电镜、CeB6灯丝系列台式扫描电镜、ParticleX系列全自动扫描电镜以及扫描电镜样品制备设备——离子研磨仪等。飞纳电镜还提供与台式扫描电镜相关的技术支持和测试服务。我们一直注显微技术,致力于实现扫描电镜平民化。飞纳电镜为用户提供从扫描电镜基础理论到Level5应 ...
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