硒化铅单晶检测中心，硒化铅单晶晶体结构就爱你吃中心

硒化铅是一种由铅和硒元素组成的化合物半导体材料，呈灰黑色晶体状，具有窄禁带宽度、高载流子迁移率、良好的红外光电性能等特点，广泛应用于红外探测器、光电子器件、半导体激光器、红外成像系统等领域。

机构优势

人才储备：拥有700余名专业人员，技术团队超90%毕业于“985”“211”等重点高校，且具备硕士、博士学位。

设备配置：配备500余台（套）专业仪器，涵盖红外光谱、核磁共振、各类色谱及质谱仪、X 射线荧光光谱、快速溶剂萃取仪等。

资质认证：获得CNAS实验室认可证书及CMA检验检测机构资质认定证书。

服务范围：累计为超10万家公检法单位、高校科研机构及企业等客户，提供咨询、分析、检测、测试、鉴定研发等技术服务。

硒化铅检测范围

硒化铅单晶、硒化铅多晶、硒化铅薄膜、红外探测器用硒化铅、半导体器件用硒化铅、高纯硒化铅、掺杂硒化铅等。

硒化铅检测项目

化学成分（铅含量、硒含量、杂质元素含量）、晶体结构（晶格常数、晶相组成）、电学性能（电阻率、载流子浓度、迁移率）、光学性能（红外透射率、禁带宽度）、外观质量（表面平整度、无裂纹、无杂质）、粒度（粉末状硒化铅的颗粒大小及分布）、密度、硬度等。

硒化铅检测方法

化学成分分析法：采用 X 射线荧光光谱法（XRF）测定铅和硒的含量；利用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）检测杂质元素含量。

晶体结构分析法：通过 X 射线衍射仪（XRD）分析晶体结构，测定晶格常数和晶相组成。

电学性能测试法：使用四探针测试仪测定电阻率；采用霍尔效应测试仪测量载流子浓度和迁移率。

光学性能测试法：利用红外光谱仪测定红外透射率；通过紫外 - 可见 - 近红外分光光度计计算禁带宽度。

外观质量检查法：借助显微镜观察表面平整度，检查是否存在裂纹、杂质等缺陷。

硒化铅检测标准

GB/T 35304-2017《红外探测器用硒化铅单晶》

GB/T 24581-2009《半导体材料电阻率测量方法》

GB/T 15504-1995《电子元件和微电子器件用纯铅》（原料铅纯度参考）

SJ/T 11011-1996《硒化镉多晶薄膜 X 射线衍射测试方法》（类似化合物测试参考）