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1 半导体集成电路失效分析程序和方法GJB3233-1998 5.2.4 X射线检查
2 半导体集成电路失效分析程序和方法GJB3233-1998 5.1.6 内部检查
3 半导体集成电路失效分析程序和方法GJB3233-1998 5.1.1 外部检查
4 半导体集成电路失效分析程序和方法GJB3233-1998 5.2.8 密封性试验（检漏）
5 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005方法2001.1 恒定加速度
6 半导体集成电路失效分析程序和方法GJB3233-1998 5.3.4 扫描电子显微镜分析
7 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005方法1010.1 温度循环
8 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005方法1008.1 稳定性烘焙
9 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005方法2020.1 粒子碰撞噪声检测试验
10 半导体集成电路失效分析程序和方法GJB3233-1998 5.2.7 粒子碰撞噪声检测（PIND）
11 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-20051014.2条件C1 粗检漏
12 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-20051014.2条件A1 细检漏
13 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005方法1015.1 老炼试验
14 半导体集成电路失效分析程序和方法GJB3233-1998 5.2.13 键合强度测试
15 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-98 5.2.4 X射线照相
