siemens西门子SITOP稳压电源6EP1334-2BA20
浔之漫智控技术有限公司长期低价销售数控伺服系统：80
2C S、802D SL、810D DE、820D SL、840C CE、840D DE、840D SL、840DiSL、S120数控系统、数控伺服驱动模块、控制模块、电源模块、备品备件等。
有一种力量，正在支持我们前行，源于博大精深，同心致远。
上海浔之漫长期低价销售西门子PLC200.300.400.S1200.S1500.ET200.Smart200，6SE70变频器.70备件.6SY7000/7010.C98面板，6RA70/28/24直流调速器，6XV电缆，6EP电源，3RW30/40/44软启动器，6AV人机触摸屏，LOGO!，6SL系列G110.G120.S120.V10.V20，MM440/430/420变频，6DR阀门定位器，7ML.7ME.7MF.7MH仪表仪器，6FC.6SN伺服数控，电机等西门子系列产品
无论出现上述的那一种情况，都可以通过用施密特触发器整形而获得比较理想的矩形脉冲波形。由图可见，只要施密特触发器的 和V 设置得合适，均能收到满意的整形效果。
u 用于脉冲鉴幅
由图3可见，若将一系列幅度各异的脉冲信号加到施密特触发器的输入端时，只有那些幅度大于 的脉冲才会在输出端产生输出信号。因此，施密特触发器能将幅度大于 的脉冲选出，具有脉冲鉴幅的能力。
图3用施密特触发器鉴别脉冲幅度
u 构成多谐振荡器
利用施密特触发器构成多谐振荡器。其电路如图4所示。接通电源瞬间，电容C上
图4 用施密特触发器构成的多谐振荡器 图5 图4的波形
的电压为0V，输出 为高电平。 通过电阻R对电容C充电，当 达到 时，施密特触发器翻转，输出为低电平，此后电容C又开始放电， 下降，当 下降到 时，电路又发生翻转，如此周而复始地形成振荡。其输入、输出波形如图5所示。若在图4中采用的是CMOS施密特触发器，且 ，根据图5的电压波形得到振荡周期计算公式为
当采用TTL施密特触发器（例如7414）时，电阻R不能大于470W，以保证输入端能够达到负向阈值电平。R的*小值由门的扇出数确定（不得小于100W）。对于典型的参数值（ =0. 8V, =1.6V输出电压摆幅为3V），其输出的振荡频率为：
| 恒流源锯齿波电路，BG1是开关管，由输入矩形脉冲控制其饱和与截止，BG2是共基恒流管，因此，当BG1截止时，BG2以恒定电流i对C充电，电压uc线性地增长；当BG1饱和时，C通过BG1快速地放电，从而产生锯齿波如图1（b）示。 |
|
| 图2(a)是一种自举式锯齿波电路，BG1是开关管，C、R分别为定时电容和电阻，BG4共基恒流源，BG2和BG3组成复合管跟随器，当输入ui是负形波时，BG1截止，电容C充电（由Ec→R1→BG4→R→C），B点电位上升，由于射随器（BG2、BG3）作用，使A点电位也上升，称为自举。由于A、B两点的电位差不变，流过R的电流也不变，使C以恒流充电，当输入负矩形脉冲结束后，BG1饱和，C通过它迅速地放电，输出波形如图2(b）示。 |
|
| 图3为改进电路，使BG2、BG3的放大系数K大于1，调节电位器Rw，可得波形失真的**补偿。 |
图3、K＞1的自举锯齿波电路
| “门"是这样的一种电路：它规定各个输入信号之间满足某种逻辑关系时，才有信号输出，通常有下列三种门电路：与门、或门、非门（反相器）。从逻辑关系看，门电路的输入端或输出端只有两种状态，无信号以“0"表示，有信号以“1"表示。也可以这样规定：低电平为“0"，高电平为“1"，称为正逻辑。反之，如果规定高电平为“0"，低电平为“1"称为负逻辑，然而，高与低是相对的，所以在实际电路中要选说明采用什么逻辑，才有实际意义，例如，负与门对“1"来说，具有“与"的关系，但对“0"来说，却有“或"的关系，即负与门也就是正或门；同理，负或门对“1"来说，具有“或"的关系，但对“0"来说具有“与"的关系，即负或门也就是正与门。 |
| 一、与门 |
| 图一（a）为三端负与门。其逻辑关系是：当罗列入A、B、C均为“1"时，输出端F才为“1"。（C）是与门的逻辑符号，图（b）是波形图，图（d）是逻辑关系表。它们的逻辑关系式为：F=A·B·C |
| 0-t1t1-t2t2-t3t3-t4t4-t5t5-t6A100111B110011C100110D100010 (d) |
| 二、或门 |
| 图二为三端正或门电路，只要有一个输入端为“1"信号。输出端就为“1"信号，称为或门。图（b）是波形图，它们的逻辑表达式为：F=A+B+C |
|
| 三、非门（反相器） |
| 图三为非门电路，它的逻辑功能是：输入为：“0"，输出为“1"，反之则反，由于ui与uo反相，所以又称反相器，其逻辑符号如图（b）所示， 图中C1为加速电容，D1为箝位二极管，D2超抗饱和作用，原理是：当BG饱和时，ud>uc（通常ub为（0.7-0.8）伏，uc为（0.1-0.3)伏），使D2导通，若D2压降为0.2伏，ub=-0.7伏，此时uc变为0.5伏，这就减轻了饱和深度，另外由于ID流入BG，就使Ic增加，Ib减小，通过Ib自动调节作用，使电路能稳定地工作。 图四为非饱和式反相器，图五为几种常用反相器，它们的技术指标列于表一中 |