上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75

2023-04-12 09:43 113.90.157.200 3次
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伯东企业(上海)有限公司
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品牌
KRI
型号
KDC 75
产地
美国
关键词
上海伯东代理,美国原装进口 ,KRI 考夫曼离子源 ,KDC 75
所在地
ec@hakuto-vacuum.cn
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产品详细介绍

考夫曼离子源 KDC 75

KRI 考夫曼离子源 KDC75
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC75:紧凑栅极离子源,离子束直径14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
 

KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数

型号

KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)

供电

DC magnetic confinement

 - 阴极灯丝

2

 - 阳极电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -栅极直径

7.5 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1212 或 KSC 1202

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

7.9'

 - 直径

5.5'

 - 离子束

聚焦
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

6-24”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC75 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE


客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10torr, 系统配置
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75
考夫曼离子源 KDC 75

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