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1 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005方法5003 3.2.4 X射线照相
2 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005方法5003 3.2.3c） 两个或三个引出端之间电测试
3 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005方法5003 3.2.3 b） 外壳绝缘
4 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005方法5003 3.2.1 外部检查
5 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005方法5003 3.4 e) 扫描电子显微技术和电子束显微分析
6 微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005方法5003 3.2.3 a） 阈值试验
7 《半导体器件 机械和气候试验方法第6部分:高温贮存》 IEC 60749-6：2002 高温贮存
8 《半导体器件 机械和气候试验方法第9部分:标准耐久性》 IEC 60749-9：2002 标志耐久性
9 《半导体器件 机械和气候试验方法第5部分:稳态温湿度偏置寿命验》 IEC 60749-5：2003 稳态温湿度偏置寿命验
10 《半导体器件 机械和气候试验方法第10部分:机械冲击》 IEC 60749-10：2002 机械冲击
11 《半导体器件 机械和气候试验方法第36部分:恒定加速度》 IEC 60749-36：2003 恒定加速度
12 《半导体器件 机械和气候试验方法第13部分:盐气》 IEC 60749-13：2002 盐气
13 《半导体器件 机械和气候试验方法 第8部分:密封》IEC 60749-8：2002 密封
14 《半导体器件 机械和气候试验方法第21部分:可焊性》 IEC 60749-21：2004 可焊性
15 《半导体器件 机械和气候试验方法第22部分:键合强度》 IEC 60749-22：2002 键合强度
