2024中国（上海）国际传感器及应用技术展览会
China (Shanghai) International sensor and Application TechnologyExhibition2024
时间：2024年11月18日-20日
地点：上海新国际博览中心
展会介绍：
欢迎参加“2024中国（上海）国际传感器及应用技术展览会”中国（上海）电子信息博览会下属专题展区”是目前业界具影响力的展览会之一将于2024年11月18-20日在上海新国际博览中心举办。本届展会预计吸引500家企业参展，围绕传感器创新产业链，致力打造传感器产业生态圈，一路携手企业和合作伙伴，共同打造传感器行业一站式商贸平台。同期将召开“国际传感器行业高端发展论坛”等多场技术论坛会，邀请国内外专家与参会代表前来互动交流，探讨行业发展趋势，分享各自取得的经验成果，届时，热忱欢迎国内外的传感器产业及其相关行业人士前来参观与交流。
迎接“智能传感”时代
作为人工智能硬件设施中的“神经元”，也是万物互联的重要“元器件”，近年来，随着随着5G、人工智能、物联网等技术的迅猛发展及应用场景的不断拓展，智能传感器应用范围越来越广泛。国家已将包括智能传感器在内的集成电路产业列入重大战略性产业，并出台多项全局性、战略性政策措施，推动技术创新、提质升级、人才建设等。
奥迪威作为传感器及执行器的国家专精特性“小巨人”企业，公司已掌握换能芯片制备、产品结构设计、智能算法和精密加工技术等核心技术，致力于物联网感知层和执行层核心部件及其解决方案。
张曙光表示，围绕公司发展战略，公司将会聚焦“强人工智能”领域，一方面通过团队自身能力持续改进产品设计和制造工艺水平，从而实现产品技术迭代给下游客户创造价值；另一方面，结合前瞻性研究与未来市场方向，通过股权投资等有效的合作方式，集聚在公司战略发展主流方向上的优势资源，以加快技术升级的步伐，丰富应用场景和产品线品类。
SOS高温压力传感器（Silicon onSapphire）是基于蓝宝石衬底，蓝宝石是Al2O3的晶体结构，熔点达到2040℃，具有良好的光学特性、绝缘性，在1500℃时机械性能良好，是制备高温传感器的理想材料。SOS高温压力传感器是在二十世纪八十年代提出的一种薄膜应变式压力传感器，它通过在蓝宝石晶体上异质外延生长单晶硅薄膜，并利用干法刻蚀制作硅压阻结构。SOS高温压力传感器具有频带宽、耐腐蚀、抗辐射等优点，工作温度可达到350℃，由于难以形成真空绝压腔，SOS高温压力传感器多为大量程的表压传感器；蓝宝石热膨胀系数约为硅的2倍，外延单晶硅薄膜与蓝宝石间的晶格失配大，存在较大的失配应力，限制了这种传感器的Zui高使用温度。
SiC高温压力传感器
碳化硅作为第三代直接跃迁型宽禁带半导体材料具有优良的抗辐照特性、热学性能、抗腐蚀性。SiC晶体形态较多，常用于研制高温压力传感器的晶体形态为α型的3C-SiC和β型的4H-SiC、6H-SiC，其中β-SiC在1600℃时仍能保持良好的机械强度，在制备高温传感器方面有广阔的应用前景。压力敏感结构以6H-SiC作为基底，利用同质外延掺杂、干法刻蚀技术形成PN结和压阻结构，再使用Ti/TaSi/Pt膜实现欧姆接触，传感器Zui高工作温度能达到 750℃。
限制SiC压阻高温传感器工作温度的因素有两个：第一，高温下外延6H-SiC薄膜的压阻效应退化，有数据表明，6H-SiC薄膜在室温下的压阻系数为30，而在600℃时降为10~15；第二，SiC欧姆接触的使用温度限制，Ti/TaSi/Pt、Ta/Ni/Pt等欧姆接触膜系的长期使用温度均不高于800℃。
以上四类不同结构的压力传感器是目前常见的实现高温压力传感的方式，从Zui高使用温度来讲，SiC＞SOS＞SOI＞多晶硅；从制造难度来讲，SiC＞SOS＞SOI＞多晶硅；从产业化程度来讲，SOI＞多晶硅＞SOS＞SiC；从制造成本来讲，SiC＞SOS＞SOI＞多晶硅。下表，新学知了这四类高温压力传感器的制造技术、Zui高工作温度和存在问题。