2024中国（上海）国际传感器及应用技术展览会
China (Shanghai) International sensor and Application TechnologyExhibition2024
时间：2024年11月18日-20日
地点：上海新国际博览中心
联系人：张主任
展会介绍：
欢迎参加“2024中国（上海）国际传感器及应用技术展览会”中国（上海）电子信息博览会下属专题展区”是目前业界Zui具影响力的展览会之一将于2024年11月18-20日在上海新国际博览中心举办。本届展会预计吸引500家企业参展，围绕传感器创新产业链，致力打造传感器产业生态圈，一路携手youxiu企业和合作伙伴，共同打造传感器行业一站式商贸平台。同期将召开“国际传感器行业高端发展论坛”等多场技术论坛会，邀请国内外专家与参会代表前来互动交流，探讨行业发展趋势，分享各自取得的经验成果，届时，热忱欢迎国内外的传感器产业及其相关行业人士前来参观与交流。
上届展会展出面积35000平方米吸引了来自15个国家和地区的485家企业参展，zhiming参展商有RaytekCorporation、PCB、Merit、EPCOSAG 、Balluff GmbH、SICK AG、堡盟、Gefran、横河电机、精量电子、汉威电子、昆仑海岸、天津中环、科陆电子、士兰微、华天科技、东风科技、兰宝、瑞电仕、基康、西克等。
观众来源：
我们重点邀请将邀请工业自动化、工业设备和机械工程、智能家居、环境监测、测试测量、汽车制造、电力/能源、石油化工、制药、冶金、医疗设备、航空航天、轨道交通、物流仓储、船舶、农业、轻工业、消费电子、物联网、人工智能、家用电器、半导体、交通运输等行业的生产企业代表、工程技术人员及国内外贸易组织、研究所和大学、科研机构相关专家学者等企业主管人员到会参观、洽谈。
多晶硅高温压力传感器
多晶硅高温压力传感器在制作中采用热氧工艺在单晶硅衬底上制备介质膜SiO2，再通过LPCVD(LowPressure Chemical Vapor Deposition，低压气相淀积) 工艺在SiO2上制作多晶硅膜，再通过扩散工艺制作基于多晶硅材料的压敏电阻。多晶硅高温压力传感器主要采用SiO2作为介质薄膜来代替PN结，进而实现电隔离。多晶硅高温压力传感器一般可用在200°C以内的环境，多晶硅层常规厚度低于2μm，与介质层SiO2和部分硅衬底组成感受压力的复合膜结构，这样的结果会因不同材料的热膨胀系数不同引起热应力，影响高温下的性能。多晶硅压力传感器，Philips、Foxbro、MeritSensor和国内中电科49所有相关产品和技术。
图四类MEMS高温压力传感器结构SOI高温压力传感器
SOI高温压力传感器制备工艺相对成熟，也是目前市场上Zui常见的一种高温压力传感器类型。SOI压力传感器具有耐高温特性，埋氧层可以隔绝压敏电阻和硅衬底，避免产生P-N结漏电问题。在相同尺寸下，SOI衬底的漏电流比硅衬底形成PN结的漏电流低3个数量级，SOI衬底适合研制高温压力传感器。存在敏感压阻层与衬底之间的键合方式、热应力和高温漏电流增大以及硅高温蠕变等因素的限制。
制备SOI衬底的两种主流技术是注氧隔离（separation byimplantation of oxygen，SIMOX）技术和键合（bonding）技术,SIMOX技术是指工艺中大剂量的氧离子被注入到起始硅片中, 进行高温退火处理形成SOI衬底;键合技术,包括键合与背面减薄（bonding and etch-back SOI BESOI）技术和智能剥离SmartCut，键合技术工艺较复杂, 成本控制较难。利用 Smart Cut技术的SOI衬底，研制出的高温压力传感器,其高温特性测到150°C；利用BESOI 技术制作了高温压力传感器, 其耐温到200°C，利用SIMOX技术制作了高温压力传感器,其耐温到220°C。
SOS高温压力传感器
SOS高温压力传感器（Silicon onSapphire）是基于蓝宝石衬底，蓝宝石是Al2O3的晶体结构，熔点达到2040℃，具有良好的光学特性、绝缘性，在1500℃时机械性能良好，是制备高温传感器的理想材料。SOS高温压力传感器是在二十世纪八十年代提出的一种薄膜应变式压力传感器，它通过在蓝宝石晶体上异质外延生长单晶硅薄膜，并利用干法刻蚀制作硅压阻结构。SOS高温压力传感器具有频带宽、耐腐蚀、抗辐射等优点，工作温度可达到350℃，由于难以形成真空绝压腔，SOS高温压力传感器多为大量程的表压传感器；蓝宝石热膨胀系数约为硅的2倍，外延单晶硅薄膜与蓝宝石间的晶格失配大，存在较大的失配应力，限制了这种传感器的Zui高使用温度。
SiC高温压力传感器
碳化硅作为第三代直接跃迁型宽禁带半导体材料具有优良的抗辐照特性、热学性能、抗腐蚀性。SiC晶体形态较多，常用于研制高温压力传感器的晶体形态为α型的3C-SiC和β型的4H-SiC、6H-SiC，其中β-SiC在1600℃时仍能保持良好的机械强度，在制备高温传感器方面有广阔的应用前景。压力敏感结构以6H-SiC作为基底，利用同质外延掺杂、干法刻蚀技术形成PN结和压阻结构，再使用Ti/TaSi/Pt膜实现欧姆接触，传感器Zui高工作温度能达到 750℃。
限制SiC压阻高温传感器工作温度的因素有两个：第一，高温下外延6H-SiC薄膜的压阻效应退化，有数据表明，6H-SiC薄膜在室温下的压阻系数为30，而在600℃时降为10~15；第二，SiC欧姆接触的使用温度限制，Ti/TaSi/Pt、Ta/Ni/Pt等欧姆接触膜系的长期使用温度均不高于800℃。
以上四类不同结构的压力传感器是目前常见的实现高温压力传感的方式，从Zui高使用温度来讲，SiC＞SOS＞SOI＞多晶硅；从制造难度来讲，SiC＞SOS＞SOI＞多晶硅；从产业化程度来讲，SOI＞多晶硅＞SOS＞SiC；从制造成本来讲，SiC＞SOS＞SOI＞多晶硅。下表，新学知了这四类高温压力传感器的制造技术、Zui高工作温度和存在问题。
展出范围：
1、传感器：光电传感器、温度传感器、MEMS传感器、压力传感器、气体传感器、热流传感器、磁传感器、湿度传感器及红外传感器、运动传感器、图像传感器、流量传感器、液位传感器、视觉传感器、超声波传感器、加速度传感器、位移传感器、尺度传感器、离子传感器、真空传感器、密度传感器、霍尔传感器、称重传感器、声学传感器、姿态传感器、环境传感器等各种类型的敏感元件及传感器产品。
陀螺仪、RFID、电阻式传感器、变频功率传感器、电阻应变式传感器、压阻式传感器、热电阻传感器、通讯模组、激光传感器、无线温度传感器、智能传感器、光敏传感器、光学元件、生物传感器、电导传感器、24GHz雷达传感器、一体化温度传感器、真空度传感器、电容式物位传感器、锑电极酸度传感器、酸、碱、盐浓度传感器等；
2、传感器系统和传感器测试设备、封装、集成器件以及传感器相关的研发技术等。
3、传感器、生产与制造设备、配件：材料企业（特种材料、陶瓷部件、压阻式陶瓷、特种玻璃、保护膜、超声发生器、编码器、光源、光学元件、敏感元件等）制造部件（传感器ASIC、传感器IC接口、混合电路、LCD、密封壳体、连接器、PCB电路板、精制螺栓、拉头材质、电源、声波部件、温度计保护管、特种胶及其他传感器配件等；
展会招商火热进行中，如有意参展，还望您尽快联系我们。提前预订即可享受光地主通道或标准双开位置！
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联系人：张涵 主任
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