半自动光刻机

主要功能

 本设备是我公司专门要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、MEMS、化合物半导体、声表面波器件的研制和生产，该机器是高校、研究所、企业用户优选的高性价比机型。

主要技术参数：

1．曝光类型：单面曝光；双面曝光；双面对准单面曝光可选

2．曝光面积：160×160mm；210×2100mm；310×310mm；可选

3．曝光照度不均匀性：≤2.5%（(Φ150mm范围）；

4．曝光强度：≥40mw/cm2可调；

5．紫外光束角：≤2˚；

6．紫外光中心波长：365nm；405nm可选

7．紫外光源寿命：≥2万小时；

8．曝光分辨率：0.8μm；

9．曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；

10．显微镜扫描范围：  Y：±30mm；

11．对准范围：X、Y±5mm（移动精度0.5um），Q±6°（移动精度0.001°）

12．对准精度：±0.5um；

13．分离量；0～1000μm可调；

14．接触－分离漂移：≤1μm；

15．曝光方式：真空接触、硬接触、压力接触、接近式；

16.掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″、7″×7″9″×9″13″×13″各一件；

17.标配承片台： 2 英寸、3 英寸、4 英寸、6 英寸、8、12、英寸各一件；

18.标准配件可兼容样片厚度：0.1-6 mm；

19.可设计工作厚度：50 mm；

20.对准系统：CCD